Inventaire des recherches

Début : 01/01/2008
Fin : 31/12/2011

L’objectif général de ce projet de recherche est d’étudier le comportement, sous fortes doses de radiations, des structures semi-conductrices fondamentales qui entreront dans la réalisation des détecteurs et capteurs du futur, en particulier les détecteurs à pixels dont on peut pressentir les applications grandissantes tant dans le domaine de la physique des particules, que dans le domaine de l’imagerie médicale. On s’intéressera à la technologie SOI qui permet de combiner et d’optimiser, sur la même puce de silicium, des senseurs de particules dans un substrat épais très faiblement dopé et des circuits électroniques à hautes performances (en particulier, au niveau de la résistance aux radiations ionisantes) dans une couche mince, éventuellement fortement dopée, isolée du substrat.

LEMAITRE Vincent, FLANDRE Denis

Eduardo Cortina Gil, Maria Elena Martin Albarran, Lawrence Soung Yee, Valeria Kilchytska (unité DICE), Joaquin Alvarado (unité DICE)

Sciences de l'ingénieur ( Code 10.5 )

Technol. des composantes électroniques [microélectronique] ( Code 2521 )

Résistance aux radiations , Semiconducteur, Microélectronique

Financement de base institutionnel
définitifs (Chercheur qualifié, Directeur de recherche et Maître de recherche)
Conventions
PAI et autres programmes fédéraux
Fonds spéciaux de recherche
Région wallonne